Agileswich SiC MOSFET驅動器2ASC-12A1HP概述
敏捷開關®
2ASC-12A1HP–1200V雙通道增強高性能SiC Core 1
更好地控制和保護大多數基於SiC MOSFET的電源系統。2ASC-12A1HP提供高達
工作頻率為100kHz時，峰值電流為10A。高CMTI柵極驅動核心包括一個隔離的
DC/DC轉換器和低電容隔離柵，用於PWM信號和故障反饋。聰明人
用戶可以適當配置他們的驅動器（ICT）參數
無需擔心更換硬件的應用程序
軟件可編程功能
•增強型關閉TM（ATOff）（ ）
•±VGS柵極電壓
o Vgs位置從+15V到+21V
o Vgs負極-5V至0V
•電源欠壓鎖定（UVLO）
•電源過壓鎖定（OVLO）
•去飽和檢測設置
•停滯時間
•故障鎖定設置
•自動復位設置
應用
•重型車輛
•感應加熱
•輔助動力裝置
•電池儲存
•逆變器
•無線充電
所需配件*
零件號：ASBK-014（設備編程器套件）
包括：Microchip PICKIT4、適配器、電纜和
智能配置工具（ICT）軟件
主要驅動功能
•符合UL標準-1200V SiC MOSFET模塊
•雙通道
•穩健的高抗擾度設計
•隔離溫度監控，PWM
•隔離高壓監控，PWM
•緊湊型40x61mm
•2 X 3W輸出功率
•符合RoHS
•多達7種獨特的故障條件
評估工具*
ASDAK-AgileSwitch SiC加速開發工具包
提供快速優化
碳化硅模塊和系統的性能。每個套件包括
2ASC系列核心，ASBK-014，模塊適配器板，
以及可選的芯片碳化硅模塊
系統概述
驅動核心的基本拓扑如圖1所示
額定值
額定值的相互作用取決于操作條件
電氣特性
條件：VSUP=+15.0 V，VIN邏輯=5V，MOSFET（Ciss=11.7nF；Qg=1025nC）
次要
信道1和信道2可以互換地用作HI或LO側。
在高壓側，溫度線應浮動，直流鏈路監控線應接地
驅動電路
建議使用柵電壓（Vgs）限制齊納二極管，將SiC MOSFET柵極的曝光限制在高水平
電壓瞬變。齊納二極管的選擇應基於sicmosfet的Vgs額定值。
A112HP-2ASC的充電和放電通道分開。
下式可用於估計給定SiC MOSFET模塊所需的驅動電流：
𝐼�𝑔�𝑝�𝑒�𝑎�𝑘� =
𝑉�𝑔�𝑠�+ + 𝑉�𝑔�𝑠�−
𝑅�𝑔� + 𝑅�𝐺�
𝐼�𝑔�𝑝�𝑒�𝑎�𝑘�-峰值門極電流
𝑉�𝑔�𝑠�+–SiC MOSFET製造商建議的正柵電壓
𝑉�𝑔�𝑠�-–SiC MOSFET製造商建議的負柵電壓
𝑅�𝑔�–SiC MOSFET模塊內部柵電阻
𝑅�𝐺�–模塊適配器板上的外部柵極電阻
注：𝐼�𝑔�𝑝�𝑒�𝑎�𝑘�是一個功能強大的模塊門電荷
在下圖6所示的實現中，圖騰磁極驅動器為2ASC-12A1HP提供約20A峰值電流。
短路保護-DSAT電路
SiC器件的短路耐受能力受到2-3us的限制。因此，採用
門驅動器的適當短路保護參數。
DSAT消隱時間和DSAT閾值電壓是兩個非常重要的參數，是軟件設計
2ASC-12A1HP上的可配置功能。
建議使用感應二極管進行DSAT保護，如下圖7所示。
DSAT線路通過2ASC-12A1HP上的10kΩ上拉電阻器上拉至+V_Sec
如您要採購Agileswich SiC MOSFET驅動器2ASC-12A1HP，請聯繫Agileswich官網中國銷售。
