Agileswich SiC MOSFET驱动器2ASC-12A1HP概述
敏捷开关®
2ASC-12A1HP–1200V双通道增强高性能SiC Core 1
更好地控制和保护大多数基于SiC MOSFET的电源系统。2ASC-12A1HP提供高达
工作频率为100kHz时，峰值电流为10A。高CMTI栅极驱动核心包括一个隔离的
DC/DC转换器和低电容隔离栅，用于PWM信号和故障反馈。聪明人
用户可以适当配置他们的驱动器（ICT）参数
无需担心更换硬件的应用程序
软件可编程功能
•增强型关闭TM（ATOff）（ ）
•±VGS栅极电压
o Vgs位置从+15V到+21V
o Vgs负极-5V至0V
•电源欠压锁定（UVLO）
•电源过压锁定（OVLO）
•去饱和检测设置
•停滞时间
•故障锁定设置
•自动复位设置
应用
•重型车辆
•感应加热
•辅助动力装置
•电池储存
•逆变器
•无线充电
所需配件*
零件号：ASBK-014（设备编程器套件）
包括：Microchip PICKIT4、适配器、电缆和
智能配置工具（ICT）软件
主要驱动功能
•符合UL标准-1200V SiC MOSFET模块
•双通道
•稳健的高抗扰度设计
•隔离温度监控，PWM
•隔离高压监控，PWM
•紧凑型40x61mm
•2 X 3W输出功率
•符合RoHS
•多达7种独特的故障条件
评估工具*
ASDAK-AgileSwitch SiC加速开发工具包
提供快速优化
碳化硅模块和系统的性能。每个套件包括
2ASC系列核心，ASBK-014，模块适配器板，
以及可选的芯片碳化硅模块
系统概述
驱动核心的基本拓扑如图1所示
额定值
额定值的相互作用取决于操作条件
电气特性
条件：VSUP=+15.0 V，VIN逻辑=5V，MOSFET（Ciss=11.7nF；Qg=1025nC）
次要
信道1和信道2可以互换地用作HI或LO侧。
在高压侧，温度线应浮动，直流链路监控线应接地
驱动电路
建议使用栅电压（Vgs）限制齐纳二极管，将SiC MOSFET栅极的曝光限制在高水平
电压瞬变。齐纳二极管的选择应基于sicmosfet的Vgs额定值。
A112HP-2ASC的充电和放电通道分开。
下式可用于估计给定SiC MOSFET模块所需的驱动电流：
𝐼�𝑔�𝑝�𝑒�𝑎�𝑘� =
𝑉�𝑔�𝑠�+ + 𝑉�𝑔�𝑠�−
𝑅�𝑔� + 𝑅�𝐺�
𝐼�𝑔�𝑝�𝑒�𝑎�𝑘�-峰值门极电流
𝑉�𝑔�𝑠�+–SiC MOSFET制造商建议的正栅电压
𝑉�𝑔�𝑠�-–SiC MOSFET制造商建议的负栅电压
𝑅�𝑔�–SiC MOSFET模块内部栅电阻
𝑅�𝐺�–模块适配器板上的外部栅极电阻
注：𝐼�𝑔�𝑝�𝑒�𝑎�𝑘�是一个功能强大的模块门电荷
在下图6所示的实现中，图腾磁极驱动器为2ASC-12A1HP提供约20A峰值电流。
短路保护-DSAT电路
SiC器件的短路耐受能力受到2-3us的限制。因此，采用
门驱动器的适当短路保护参数。
DSAT消隐时间和DSAT阈值电压是两个非常重要的参数，是软件设计
2ASC-12A1HP上的可配置功能。
建议使用感应二极管进行DSAT保护，如下图7所示。
DSAT线路通过2ASC-12A1HP上的10kΩ上拉电阻器上拉至+V_Sec
如您要采购Agileswich SiC MOSFET驱动器2ASC-12A1HP，请联系Agileswich官网中国销售。
